[发明专利]阵列基板和阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201910204605.5 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109950320A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王傲;楚光辉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种阵列基板和阵列基板的制造方法，其中，该阵列基板包括：基板；半导体层，所述半导体层设置于所述基板之上，所述半导体层包括沟道区、设置于所述沟道区一侧的第一掺杂区以及设置于所述沟道区另一侧的第二掺杂区，所述沟道区包括第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第五掺杂区之间，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区和所述第五掺杂区之间；绝缘层，所述绝缘层设置于所述半导体层之上，覆盖所述沟道区；栅极层，所述栅极层设置于所述绝缘层之上，位于所述第五掺杂区的正上方，所述栅极层的宽度与所述第五掺杂区的宽度相同。本方案可以降低光阻残留和污染离子注入机台的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 阵列基板 沟道区 半导体层 绝缘层 栅极层 基板 机台 污染离子 光阻 制造 残留 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；半导体层，所述半导体层设置于所述基板之上，所述半导体层包括沟道区、设置于所述沟道区一侧的第一掺杂区以及设置于所述沟道区另一侧的第二掺杂区，所述沟道区包括第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第五掺杂区之间，所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区和所述第五掺杂区之间；绝缘层，所述绝缘层设置于所述半导体层之上，覆盖所述沟道区；栅极层，所述栅极层设置于所述绝缘层之上，位于所述第五掺杂区的正上方，所述栅极层的宽度与所述第五掺杂区的宽度相同。
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