[发明专利]一种沿＜010＞晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法有效
| 申请号： | 201910206529.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109868505B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黄寒;刘金鑫;施姣;肖君婷;陈凤鸣 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/46;C30B25/18;C30B29/60;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 瞿晓晶 |
| 地址： | 410000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沿010晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿010晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了沿010晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 010 生长 氧化钼 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒的制备方法，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿<010>晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。
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