[发明专利]一种沿＜010＞晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法有效
| 申请号： | 201910206530.4 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109721103B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 黄寒;刘金鑫;施姣;陈凤鸣;肖君婷 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 瞿晓晶 |
| 地址： | 410000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沿<010>晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿<010>晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1。本发明以m面蓝宝石为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了<010>晶向生长的二氧化钼纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米棒 二氧化钼 晶向 生长 常压化学气相沉积 基底 制备 纳米材料技术 三氧化钼粉末 三氧化钼粉 单斜晶系 反应原料 定向性 结晶性 质量比 | ||
【主权项】：
1.一种沿<010>晶向生长的二氧化钼纳米棒的制备方法，包括以下步骤：/n以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿<010>晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1；/n所述常压化学气相沉积的反应器为双温区反应器，所双述温区反应器沿载流气体方向分为第一温区和第二温区；所述硫块位于第一温区，所述基底和三氧化钼粉末位于第二温区，所述基底位于三氧化钼粉末之上；/n所述常压化学气相沉积的控温程序为：所述第二温区的温度由室温进行第一升温至第一温度进行第一保温，然后第二升温至第二温度进行第二保温，第二保温后依次进行第一冷却和第二冷却；/n所述第一升温的速率为15～20℃/min，所述第一温度为300℃，第一保温的时间为20～30min；所述第二升温的速率为13～15℃/min，所述第二温度为750～780℃，所述第二保温的时间为10～15min；所述第一冷却的速率为10℃/min，时间为20～23min，所述第一冷却后的温度为550℃；所述第二冷却的时间为20～25min，所述第二冷却后的温度为20～30℃；/n所述第一温区的温度保持在80℃直到第二温区的温度达到660～690℃时第三升温至第三温度进行第三保温；所述第三升温速率为20～25℃/min，所述第三温度为200～220℃，所述第三保温的时间为20～25min；/n所述第一升温过程中载流气体的流速为300～500sccm；所述第二升温和第二保温过程中载流气体的流速为50～100sccm；所述第一冷却过程中载流气体的流速为50～100sccm；所述第二冷却过程中的流气体的流速为500sccm。/n
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