[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910206680.5 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110416210A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 李仁根;朴钟撤;李相炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/528;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 半导体装置 接触插塞 栅极结构 基底 绝缘层 层间绝缘层 台阶形状 穿透层 下表面 侧壁 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层，其中，接触插塞接触栅极结构的侧壁，其中，接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有比第一宽度大的第二宽度的上部，并且其中，接触插塞的下表面具有台阶形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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