[发明专利]氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法，选用高温半导体材料GaN作为衬底，利用原子层沉积系统和磁控溅射方法制备Ag/GaN/SiO₂/La₂O₃/SiO₂/Ag存储结构。本发明所述的GaN基非易失性存储器件制备方法操作简单，可实现大规模制备。

主权项

1.氮化镓基非易失性存储器件及其制备方法，其特征在于具体步骤如下：a)利用原子层化学气相沉积系统在GaN衬底表面生长一层SiO₂作为隧穿氧化物，采用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)作为前驱体，臭氧作为氧源，原子层沉积循环次数在20‑40次范围内选择；b)SiO₂隧穿氧化物生长结束后，利用原子层化学气相沉积系统在隧穿层表面生长一层La₂O₃作为存储氧化物，选用三(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)镧(La(C₁₁H₁₉O₂)₃)作为金属前驱体，臭氧作为氧源，原子层沉积循环次数在80‑150次范围内选择，GaN衬底温度在300℃‑400℃范围内选择，前驱体温度在150℃‑200℃范围内选择；c)La₂O₃存储氧化物生长结束后，利用原子层化学气相沉积系统在存储氧化物表面生长一层SiO₂阻挡氧化物，选用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)作为前驱体，臭氧作为氧源，沉积循环次数在100‑200次范围内选择；d)借助磁控溅射系统在SiO₂阻挡氧化物表面生长一层银(Ag)作为上电极，借助磁控溅射系统在GaN衬底背面沉积一层银(Ag)作为下电极，形成Ag/GaN/SiO₂/La₂O₃/SiO₂/Ag存储结构的非易失性存储器件。