[发明专利]MEMS压力传感器及制备方法有效
申请号: | 201910208209.X | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN109799026B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王伟忠;杨拥军 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01L7/08 | 分类号: | G01L7/08;G01L9/02 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 高欣 |
地址: | 050051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种MEMS压力传感器及制备方法,包括压力传感器敏感膜层、结构支撑层和电路板,压力传感器敏感膜层下表面与结构支撑层上表面键合连接,电路板上表面与结构支撑层下表面焊接相连;压力传感器敏感膜层下表面设有压敏电阻和金属引线,上表面设有波纹结构,压力传感器敏感膜层的厚度为2μm‑100μm;结构支撑层上表面设有硅槽,下表面设有环形隔离槽7和四个Pad点,硅槽内设有阵列分布的硅柱,硅柱的高度低于硅槽的深度,Pad点通过四个通孔实现与结构支撑层上表面的电连接。本发明提供的MEMS压力传感器,可以在腐蚀、流体、辐射、导电、动态测试等恶劣环境中应用,还能缩小传感器的体积、提高传感器的抗过载能力、实现低应力无引线封装。 | ||
搜索关键词: | mems 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.MEMS压力传感器,其特征在于,包括:压力传感器敏感膜层(16),其下表面设有压敏电阻(15)和金属引线,其上表面设有波纹结构(18),所述压力传感器敏感膜层(16)的厚度为2μm‑100μm;结构支撑层(9),其上表面设有硅槽(3),其下表面设有环形隔离槽(7)和四个Pad点(8),所述硅槽(3)内设有阵列分布的硅柱(4),所述硅柱(4)的高度低于所述硅槽(3)的深度,还设有四个贯穿所述结构支撑层(9)的通孔(5),四个所述Pad点(8)和四个所述通孔(5)分别均匀设置于所述环形隔离槽(7)的外围,所述结构支撑层(9)的上下表面和所述通孔(5)内均布设有金属引线,实现上表面与下表面的Pad点(8)电连接;以及电路板(19),其上表面设有焊盘(21);所述压力传感器敏感膜层(16)的下表面与所述结构支撑层(9)的上表面键合连接,所述压敏电阻(15)和对应的金属引线密封在所述硅槽(3)围成的范围之内,所述电路板(19)的上表面与所述结构支撑层(9)的下表面焊接相连。
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