[发明专利]一种多态磁存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910208579.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109904309B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军;王素梅;许静;李彦如;李俊峰;崔岩;王文武;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多态磁存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，沿磁阻隧道结一侧注入掺杂离子之后，进行热退火，从而，在自旋轨道耦合层所在平面内、垂直于电流方向上，在磁阻隧道结内的掺杂离子具有浓度的梯度变化，进而，在垂直于电流方向上形成对称性的破坏，当自旋轨道耦合层中通入电流时，无需外加磁场，磁阻随电流线性多态输出，实现多态存储，可以满足神经网络突触的硬件需求，应用至神经网络计算中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多态磁存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成自旋轨道耦合层；在所述自旋轨道耦合层上形成磁阻隧道结，所述磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性；沿所述磁阻隧道结一侧注入掺杂离子；进行热退火。
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