[发明专利]图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法

摘要

本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法，涉及LED蓝宝石衬底加工领域，包括：将报废的图形化蓝宝石衬底重制成平面衬底；清洗平面衬底；在平面衬底表面沉积SiO₂膜层；将光刻胶掩膜图形转移到SiO₂膜层，在SiO₂膜层的表面腐蚀出至少一个SiO₂微结构，得到图形化衬底；在图形化衬底的表面镀AlN膜层。通过增加SiO₂膜层，以SIO₂微结构取代AL₂O₃微结构，改善了光在蓝宝石基LED器件中的传播路径，减少了折射与吸收，增加了全反射，因此有利于提升光效，且能避免对重制得到的蓝宝石衬底进行刻蚀，从而避免刻蚀过程对蓝宝石衬底的伤害，减少衬底应力变化，有利于提高结晶质量以及成品良率。

主权项

1.一种图形化蓝宝石衬底报废品的重制方法，其特征在于，包括：将报废的图形化蓝宝石衬底进行研磨、清洗以及抛光处理，将报废的图形化蓝宝石衬底表面的图形层磨掉，重制成平面衬底；清洗所述平面衬底；在清洗后的所述平面衬底表面沉积SiO₂膜层，具体为：设定温度为250℃‑350℃，射频功率为200W‑300W，腔体压力为550mT‑700mT，向所述腔体通入25sccm‑40sccm的SiH₄、700sccm‑850sccm的N₂O，再在清洗后的所述平面衬底表面沉积SiO₂膜层，沉积时间为35min‑50min，所沉积的所述SiO₂膜层的厚度为L1，1.8um≤L1≤2.5um；在沉积有所述SiO₂膜层的平面衬底上制作光刻胶掩膜图形；根据光刻胶掩膜图形对所述平面衬底中的所述SiO₂膜层进行图形化刻蚀，将所述光刻胶掩膜图形转移到SiO₂膜层，在沉积有所述SiO₂膜层的所述平面衬底的表面腐蚀出至少一个SiO₂微结构，得到图形化衬底，所述SiO₂微结构的底部圆心的直径为D1，2.7um≤D1≤3.0um，高度为H1，1.7um≤H1≤2.0um；在所述图形化衬底中，对所述SiO₂膜层进行图形化刻蚀时，在垂直于所述平面衬底的方向，对所述SiO₂膜层的刻蚀深度等于所述SiO₂膜层的厚度；设定射频功率为2000W‑3500W，温度为500℃‑600℃，在所述图形化衬底的表面，镀AlN膜层。