[发明专利]改性的铜锌锡硫薄膜、其制备方法及太阳能电池在审
申请号: | 201910209454.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN109841696A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 檀满林;付晓宇;闵杰 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 曾昭毅;郑海威 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种改性的铜锌锡硫薄膜的制备方法,包括步骤:配置改性的铜锌锡硫前驱体溶液:所述改性的铜锌锡硫前驱体溶液中的各组分的配比为:铜元素的质量与锌锡元素的质量之和的比值为0.9‑1,锌元素的质量与锡元素的质量比值为0.9‑1.3,硫元素的质量与铜锌锡元素的质量之和的比值为2‑2.1,铁元素的质量与锌铁元素的质量之和的比值为0‑1;将所述改性的铜锌锡硫前驱体溶液旋涂在基底层上;对旋涂在所述基底层上的所述改性的铜锌锡硫前驱体溶液进行预热处理,得到改性的铜锌锡硫膜样品;及对所述改性的铜锌锡硫薄膜样品进行硫化退火,从而得到所述改性的铜锌锡硫薄膜。本发明还涉及一种改性的铜锌锡硫薄膜及太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 改性 铜锌锡硫薄膜 铜锌锡硫 前驱体溶液 太阳能电池 基底层 锡元素 制备 退火 锌铁元素 预热处理 硫元素 膜样品 配比为 铁元素 铜元素 锌元素 硫化 对旋 铜锌 锌锡 旋涂 配置 | ||
【主权项】:
1.一种改性的铜锌锡硫薄膜,其特征在于,所述改性的铜锌锡硫薄膜中掺杂有Fe元素,在所述改性的铜锌锡硫薄膜中,铁元素的质量与锌铁元素的质量之和的比值为0‑1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的