[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910209930.0 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109920857B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;曾凡明 | 申请（专利权）人： | 珠海镓未来科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新区环*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法。所述肖特基二极管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，其中，所述氧化镓外延层远离所述氧化镓衬底的一侧设置有多个沟槽；位于所述多个沟槽内的多个p型材料结构；覆盖所述p型材料结构及所述氧化镓外延层的第一电极；位于所述氧化镓衬底远离所述氧化镓外延层一侧的第二电极。在p型材料结构与氧化镓外延层之间形成异质PN结结构，从而解决了氧化镓材料由于很难形成p型掺杂材料而用于制作高性能的肖特基二极管时伴随的高技术难度以及高成本的问题，同时制作的肖特基二极管在高电压大电流情况下具有较低的开启电压，且具有较高的反向击穿电压，提高了肖特基二极管工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，其中，所述氧化镓外延层远离所述氧化镓衬底的一侧设置有多个沟槽；位于所述多个沟槽内的多个p型材料结构；覆盖所述p型材料结构及所述氧化镓外延层的第一电极；位于所述氧化镓衬底远离所述氧化镓外延层一侧的第二电极。
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