[发明专利]一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器有效
| 申请号： | 201910211190.4 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109900659B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;王会丽 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/552 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 等离子体 共振 折射率 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器，其特征在于：结构由下至上依次为基底、连续金属薄膜层、介质层和贵金属周期结构层；所述连续金属薄膜层的厚度高于电磁波在可见光及近红外波段的穿透深度；介质层自下至上依次包含5nm～8nm的SiO2阻挡层，35nm～40nm的YIG种子层和40nm～60nm的Ce:YIG，介质层总厚度不超过100nm；上层贵金属周期结构厚度为20～30nm；贵金属周期结构层满足入射光波矢与连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的SPP波矢匹配，以激发传播型表面等离激元。
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