[发明专利]一种超高真空腔体的研磨工艺

摘要

本发明公开了一种超高真空腔体的研磨工艺，包括预清洗、一次电解抛光、二次电解抛光、二次高压清洗、中和处理和三次高压清洗，为了进一步提高超高真空腔体的表面美观效果，还包括后续的对腔体密封面的精细研磨工序、四次高压清洗和干燥，经处理后的超高真空腔体结构面粗糙度能达到Ra 0.8～1.5的范围，有效减少表面波纹，且纹理朝向和线条粗细均一致，杂质释放气体量少，提高了超高真空腔体构件的表面质量，有效保证了超高真空腔体构件结构面的密封性。

主权项

1.一种超高真空腔体的研磨工艺，其特征在于，包括如下操作步骤：/nS1：预清洗，首先采用水溶性碱性清洁剂对真空腔体的密封面进行擦洗，然后采用一定压力的自来水对真空腔体的密封面进行一次高压清洗，并干燥，水溶性碱性清洁剂为碳酸钠和氢氧化钠的混合水溶液，其中碳酸钠的质量百分数为2~5%、氢氧化钠的质量百分数为1~2%；/nS2：一次电解抛光，一次电解抛光工序中采用硫酸和磷酸的混合液作为一次电解液，电解温度为50~80 ℃，电解时间为0.5~2 min，其中硫酸的密度为1.80 g/mL、磷酸的密度为1.84 g/mL，硫酸和磷酸的体积比为1∶2~2.5，一次电解抛光所用的电解装置的直流电源均是由可控硅整流器提供的，其中直流电压为15±5V，电流为30000~35000A；/nS3：二次电解抛光，二次电解抛光工序中采用硝酸、硫酸和磷酸的混合液作为二次电解液，电解温度为60~90 ℃，电解时间为1~5 min，其中硝酸的密度为1.50 g/mL、硫酸的密度为1.80 g/mL、磷酸的密度为1.84 g/mL，硝酸、硫酸和磷酸的体积比为0.8~1.0∶1∶2~2.5，二次电解抛光所用的电解装置的直流电源均是由可控硅整流器提供的，其中直流电压为15±5V，电流为30000~35000A；/nS4：二次高压清洗，采用一定压力的自来水对真空腔体的密封面进行二次高压清洗；/nS5：中和处理，采用一定质量分数的碳酸钠水溶液对真空腔体的密封面进行中和处理，碳酸钠水溶液中碳酸钠的质量百分数为20~30%；/nS6：三次高压清洗和干燥，采用一定压力的纯水对真空腔体的密封面进行三次高压清洗，并干燥，干燥工序后还包括对腔体密封面的精细研磨工序、四次高压清洗和干燥，所述四次高压清洗采用一定压力的纯水对真空腔体的密封面进行清洗。/n