[发明专利]SONOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽；光刻打开存储区的形成区域并进行深阱注入；在浅沟槽中填充氧化层；形成第一牺牲氧化层；光刻形成第一光刻胶图形来打开存储管的形成区域并注入形成存储管的沟道区；将存储管形成区域的第一牺牲氧化层去除然后去除光刻胶；生长ONO层；光刻打开P型器件的形成区域，去除打开区域的ONO层并注入形成P型器件的沟道区；光刻打开N型器件的形成区域，去除打开区域的ONO层并注入形成N型器件的沟道区；去除第一牺牲氧化层，形成存储管外的栅介质层；形成多晶硅栅。本发明能节省一块用于单独定义ONO层的光刻板，从而能降低工艺成本且不会改变器件的性能。

主权项

1.一种SONOS器件的制造方法，其特征在于，SONOS器件包括存储区和位于所述存储区之外的高压区，所述高压区的工作电压大于所述存储区的工作电压，所述存储区中包括所述SONOS器件的的单元结构，所述单元结构包括存储管和选择管，所述选择管为NMOS管，所述高压区包括高压NMOS管和高压PMOS管，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽隔离出所述存储管、所述选择管、所述高压NMOS管和所述高压PMOS管的有源区；步骤二、光刻打开所述存储区的形成区域，在所述存储区中进行深阱离子注入形成深阱；步骤三、在所述浅沟槽中填充氧化层形成浅沟槽隔离结构；步骤四、在所述半导体衬底表面形成第一牺牲氧化层；步骤五、采用光刻工艺形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形打开所述存储管的形成区域，进行所述存储管的沟道离子注入在所述深阱的顶部区域中形成所述存储管的沟道区，所述存储管的沟道区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；步骤六、将所述存储管形成区域的所述第一牺牲氧化层去除形成所述第一牺牲氧化层开口，然后去除所述第一光刻胶图形；步骤七、生长由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成的ONO层，在所述第一牺牲氧化层开口区域中所述ONO层和所述存储管的沟道区相接触，在所述第一牺牲氧化层开口区域外所述ONO层形成在所述第一牺牲氧化层的表面；步骤八、光刻打开P型器件的形成区域，去除所述P型器件的形成区域的所述ONO层，进行所述P型器件的沟道离子注入形成所述P型器件的沟道区，所述P型器件包括所述高压PMOS管；步骤九、光刻打开N型器件的形成区域，去除所述N型器件的形成区域的所述ONO层，进行所述N型器件的沟道离子注入形成所述N型器件的沟道区，所述N型器件包括所述高压NMOS管和所述选择管；步骤十、去除所述第一牺牲氧化层，在所述存储管形成区域外形成栅介质层，所述栅介质层同时覆盖在所述高压NMOS管、所述高压PMOS管和所述选择管的沟道区的表面；步骤十一、形成多晶硅层，采用光刻定义加刻蚀工艺对所述多晶硅层进行图形化同时形成所述存储管、所述选择管、所述高压NMOS管和所述高压PMOS管的多晶硅栅。