[发明专利]一种p-n结近红外光电探测器有效
| 申请号： | 201910211700.8 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110047953B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 戴叶婧;李丽 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/109 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种n型的二维纳米片阵列及其制备方法及红外光电探测器。其中该p‑n结近红外光电探测器包括：p型的衬底；下电极，形成在所述p型的衬底上；n型的纳米片阵列，形成在所述p型的衬底上；上电极，形成在所述的n型的纳米片阵列上。根据本发明公开的p‑n结近红外光电探测器，能够实现对近红外光的探测，其光响应和灵敏度有了很大的提升，开关比大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910211700.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种开关电源保护电路及开关电源保护方法
- 下一篇：一种桥式电路演示教具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
