[发明专利]三相交流高效率电力电子变压器及其控制方法

摘要

三相交流高效率电力电子变压器及其控制方法，由全控型半导体开关器件T_x1‑T_x8、反并联二极管D_x1‑D_x8、全控型半导体开关器件T_y1‑T_y8、反并联二极管D_y1‑D_y8、第一高频隔离型DC/DC变换器(1)和第二高频隔离型DC/DC变换器(2)组成。三相交流高效率电力电子变压器中，全控型半导体开关器件T_x1‑T_x8、T_y1‑T_y8的开关频率与交流输入电压的基波频率相同，因此这些开关器件的开关损耗极低。所述的三相交流高效率电力电子变压器中，第一高频隔离型DC/DC变换器(1)和第二高频隔离型DC/DC变换器(2)中的半导体开关器件工作在软开关状态，开关损耗也较低。相比现有的交流输入、交流输出的电力电子变压器方案，本发明可以减少半导体开关器件损耗，提高运行效率。

主权项

1.一种三相交流高效率电力电子变压器，其特征在于，所述的三相交流高效率电力电子变压器由全控型半导体开关器件T_x1‑T_x8、反并联二极管D_x1‑D_x8、全控型半导体开关器件T_y1‑T_y8、反并联二极管D_y1‑D_y8、第一高频隔离型DC/DC变换器(1),以及第二高频隔离型DC/DC变换器(2)组成；第一高频隔离型DC/DC变换器(1)的输入端正负极端子分别为P_x1、N_x1，第一高频隔离型DC/DC变换器(1)的输出端正负极端子分别为P_x2、N_x2，第二高频隔离型DC/DC变换器(2)的输入端正负极端子分别为P_y1、N_y1，第二高频隔离型DC/DC变换器(2)的输出端正负极端子分别为P_y2、N_y2；全控型半导体开关器件T_x1的发射极和全控型半导体开关器件T_x2的集电极连接至三相交流输入侧端子A，全控型半导体开关器件T_x3的发射极和全控型半导体开关器件T_x4的集电极及全控型半导体开关器件T_y3的发射极和全控型半导体开关器件T_y4的集电极连接至三相交流输入侧端子B，全控型半导体开关器件T_y3的发射极和全控型半导体开关器件T_y4的集电极连接至三相交流输入侧端子C；全控型半导体开关器件T_x1的集电极和全控型半导体开关器件T_x3的集电极连接至第一高频隔离型DC/DC变换器(1)的输入端子P_x1,全控型半导体开关器件T_x2的发射极和全控型半导体开关器件T_x4的发射极连接至第一高频隔离型DC/DC变换器(1)的输入端子N_x1,全控型半导体开关器件T_y1的集电极和全控型半导体开关器件T_y3的集电极连接至第二高频隔离型DC/DC变换器(2)的输入端子P_y1,全控型半导体开关器件T_y2的发射极和全控型半导体开关器件T_y4的发射极连接至第二高频隔离型DC/DC变换器(2)输入端子N_y1；全控型半导体开关器件T_x5的发射极和全控型半导体开关器件T_x6的集电极连接至三相交流输出侧端子a，全控型半导体开关器件T_x7的发射极、全控型半导体开关器件T_x8的集电极及全控型半导体开关器件T_y5的发射极和全控型半导体开关器件T_y6的集电极连接至三相交流输出侧端子b，全控型半导体开关器件T_y7的发射极和全控型半导体开关器件T_y8的集电极连接至三相交流输出侧端子c；全控型半导体开关器件T_x5的集电极和全控型半导体开关器件T_x7的集电极连接至第一高频隔离型DC/DC(1)的输出端子P_x2,全控型半导体开关器件T_x6的发射极和全控型半导体开关器件T_x8的发射极与第一高频隔离型DC/DC变换器(1)输入端子N_x2,全控型半导体开关器件T_y5的集电极和全控型半导体开关器件T_y7的集电极连接至第二高频隔离型DC/DC变换器(2)的输出端子P_y2,全控型半导体开关器件T_y6的发射极和全控型半导体开关器件T_y8的发射极连接至第二高频隔离型DC/DC变换器(2)输出端子N_y2。