[发明专利]一种可伸缩去嵌模型的形成及去嵌方法有效
| 申请号： | 201910213118.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109977522B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘林林;王全;冯悦怡 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种可伸缩去嵌模型的形成方法，包括如下步骤：S01：确定待测器件的辅助去嵌结构；S02：确定辅助去嵌结构的M个关键尺寸以及各个关键尺寸的变化范围；S03：确定所述辅助去嵌结构的子电路结构；S04：选取K套关键尺寸值，并分别测试得出其对应的辅助去嵌结构的S参数，根据不同关键尺寸值下的S参数确定所述子电路结构中N个元件值的大小；S05：建立N个元件值相对于M个关键尺寸的可伸缩方程，所述可伸缩方程组合起来形成可伸缩模型。本发明提供的一种可伸缩的去嵌模型，并利用该可伸缩去嵌模型对不同尺寸的待测器件进行去嵌处理，采用一个可伸缩的去嵌模型实现多个待测器件的去嵌，在保证精度的同时，减小了测试版图面积，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 伸缩 模型 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可伸缩去嵌模型的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：S01：确定待测器件的辅助去嵌结构；S02：确定辅助去嵌结构的M个关键尺寸以及各个关键尺寸的变化范围，所述关键尺寸指的是当待测器件的尺寸发生变化时，该辅助去嵌结构中发生对应变化的参数；S03：确定所述辅助去嵌结构的子电路结构，其中，所述子电路结构中包括N个元件；S04：选取K套关键尺寸值，并分别测试得出K套关键尺寸值对应的辅助去嵌结构的S参数，根据不同关键尺寸值下的S参数确定所述子电路结构中的N个元件值的大小，其中，每套关键尺寸值包括所述辅助去嵌结构中M个关键尺寸的值；S05：建立N个元件值相对于M个关键尺寸的可伸缩方程，所述可伸缩方程组合起来形成可伸缩模型；其中，所述可伸缩方程中，M个关键尺寸为自变量，N个元件值为因变量，且M和N均为大于1的整数，K为大于等于3的整数。
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