[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910213134.4 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110660670A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彦廷;柳依秀;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李玉锁;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的形成方法。该方法包括：提供多个虚置栅极结构于主动区与隔离区上，而隔离区与主动区相邻，第一栅极间隔物沿着主动区中的虚置栅极结构的侧壁，且第二栅极间隔物沿着隔离区中的虚置栅极结构的侧壁；移除第二栅极间隔物的顶部，但不移除第一栅极间隔物；形成第一介电层于第一栅极间隔物与第二栅极间隔物的保留部分上；在形成第一介电层之后，以多个金属栅极结构置换虚置栅极结构；在置换虚置栅极结构之后，移除第一栅极间隔物；以及形成第二介电层于金属栅极结构的上表面与第一介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极间隔物 虚置栅极结构 介电层 隔离区 主动区 移除 金属栅极结构 侧壁 置换 半导体结构 上表面 保留 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供多个虚置栅极结构于一主动区与一隔离区上，而所述隔离区与所述主动区相邻，一第一栅极间隔物沿着所述主动区中的所述多个虚置栅极结构的侧壁，且一第二栅极间隔物沿着所述隔离区中的所述多个虚置栅极结构的侧壁；/n移除所述第二栅极间隔物的顶部，但不移除所述第一栅极间隔物；/n形成一第一介电层于所述第一栅极间隔物与所述第二栅极间隔物的保留部分上；/n在形成所述第一介电层之后，以多个金属栅极结构置换所述多个虚置栅极结构；/n在置换所述多个虚置栅极结构之后，移除所述第一栅极间隔物；以及/n形成一第二介电层于所述多个金属栅极结构的上表面与所述第一介电层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
