[发明专利]脂环族二酐单体及高透明低介电常数聚酰亚胺薄膜在审

专利信息
申请号: 201910214276.2 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN109912616A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 曹春;李伟杰;周光大;林建华 申请(专利权)人: 浙江福斯特新材料研究院有限公司
主分类号: C07D493/04 分类号: C07D493/04;C07D307/89;C07D307/93;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 邱启旺
地址: 311305 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种脂环族二酐单体及高透明低介电常数聚酰亚胺薄膜,本发明首先将二胺单体充分溶解于非质子性极性溶剂中,之后加入溶解有脂环族二酐单体的非质子性极性溶液,并在氮气或惰性气体的保护下于‑10~35℃范围内反应0.5‑6h,得到脂环族聚酰亚胺前体溶液,然后将脂环族聚酰亚胺前体溶液涂布于基材上,酰亚胺化后进行应力消除,制得高透明低介电常数聚酰亚胺薄膜。本发明制备的薄膜,其介电常数及介电损耗低,显示出优异的透光性能。此外,还具有良好的力学性能,可以满足微电子工业级特殊显示领域的应用要求。
搜索关键词: 聚酰亚胺薄膜 低介电常数 脂环族二酐 高透明 脂环族聚酰亚胺 前体溶液 溶解 非质子性极性溶剂 氮气 微电子工业 惰性气体 二胺单体 非质子性 极性溶液 介电常数 介电损耗 力学性能 透光性能 应力消除 应用要求 酰亚胺化 基材 制备 薄膜
【主权项】:
1.一种脂环族二酐单体,其特征在于,它具有如下(1)~(6)所示任意一种结构:其中,R1为如下结构(7)~(15)中的任意一种:其中,1≤n≤6。
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