[发明专利]一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺在审

专利信息
申请号: 201910215680.1 申请日: 2019-03-21
公开(公告)号: CN111717919A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 钟峥;谭忠芳 申请(专利权)人: 新疆大全新能源股份有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035;C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;张小勇
地址: 832000 新疆维吾尔自治区石*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明为一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺。一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺,包括:(1)装料:将原料放入置于单晶炉内的石英坩埚内;(2)加热:在低真空下,加热原料至熔融;(3)熔接:液面平稳后,将硅芯籽晶下降,侵入液面进行熔接;(4)拉晶:降低液面温度,缓慢提拉硅芯籽晶,使硅液随着硅芯籽晶提升逐步凝固,形成硅芯;(5)长晶;(6)收尾:当硅芯生长至所需长度后,快速提升硅芯籽晶,使硅芯与液面连接处断开,获取硅芯。(7)停炉。本发明所述的一种多晶硅还原炉用硅芯的制作工艺,可提高硅芯生产效率,其拉制原料可采用市面上普通的多晶硅块,同时不需要金刚线切割,人员需求、生产成本、环保成本远远低于现有技术。
搜索关键词: 一种 多晶 还原 炉用硅芯 制作 工艺
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