[发明专利]一种记忆体结构及其制造方法

摘要

一种记忆体结构及其制造方法，记忆体结构包含基板、在基板上的浮栅介电层、在浮栅介电层上的第一浮栅及第二浮栅、分别在第一浮栅及第二浮栅上的第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠、选择栅极介电层及覆盖选择栅极介电层的选择栅极。第一凹槽分离第一浮栅及第二浮栅，且具有第一侧壁。第二凹槽分离第一控制栅极堆叠及第二控制栅极堆叠，且具有由第一侧壁凹陷的第二侧壁。选择栅极介电层覆盖第一凹槽及第二凹槽。选择栅极的底部及顶部分别填充于第一凹槽及第二凹槽中。本发明的记忆体结构具有较大的电场，使电子更容易通过F‑N穿隧方式由浮栅抹除至选择栅极。

主权项

1.一种记忆体结构，其特征在于，包含：一基板；一浮栅介电层，位于该基板之上；一第一浮栅及一第二浮栅，位于该浮栅介电层之上，其中该第一浮栅及该第二浮栅通过一第一凹槽彼此分离，且该第一凹槽具有一第一侧壁；一第一控制栅极堆叠及一第二控制栅极堆叠，分别位于该第一浮栅及该第二浮栅之上，其中该第一控制栅极堆叠及该第二控制栅极堆叠通过一第二凹槽彼此分离，且该第二凹槽具有一第二侧壁由该第一凹槽的该第一侧壁凹陷；一选择栅极介电层共形地覆盖该第一凹槽及该第二凹槽；以及一选择栅极，覆盖该选择栅极介电层，其中该选择栅极具有一底部部分填充于该第一凹槽中，以及一顶部部分填充于该第二凹槽中。