[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910216088.3 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN110299238B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 斋藤康太;石井伦太郎;国吉太 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明制造一种降低RH的含量且具有高Hk/HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其为具有规定组成的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其包括:准备粒径D50为3.0μm~4.5μm的合金粉末的工序;将所述合金粉末分级成粒径相对较小的微粉和粒径相对较大的烧结用粉末的分级工序,该分级工序中,相对于所述合金粉末100质量%,将粒径D50为1.75μm~2.5μm的微粉去除5质量%~30质量%,由此制作粒径D50为3.2μm~5.2μm且比所述合金粉末的D50大的烧结用粉末;将所述烧结用粉末进行成形而得到成形体的成形工序;将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序;以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【主权项】:
1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,其为满足下述式(1)的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法,14[B]/10.8<[T]/55.85(1)[B]为以质量%表示的B的含量,[T]为以质量%表示的T的含量,所述R‑T‑B系烧结磁体含有:R:28.5质量%~33.0质量%,其中,R为稀土元素之中的至少1种,且包含Nd和Pr中的至少1种;B:0.85质量%~0.91质量%;Ga:0.2质量%~0.7质量%;Cu:0.05质量%~0.50质量%;Al:0.05质量%~0.50质量%;以及T:61.5质量%以上,其中,T为Fe和Co,T的90质量%以上为Fe,所述制造方法包括:准备粒径D50为3.0μm~4.5μm的合金粉末的工序;将所述合金粉末分级成粒径相对较小的微粉和粒径相对较大的烧结用粉末的分级工序,所述分级工序中,相对于所述合金粉末100质量%,将粒径D50为1.75μm~2.5μm的微粉去除5质量%~30质量%,由此制作粒径D50为3.2μm~5.2μm且比所述合金粉末的D50大的烧结用粉末;将所述烧结用粉末进行成形而得到成形体的成形工序;将所述成形体进行烧结而得到烧结体的烧结工序;以及对所述烧结体实施热处理的热处理工序。
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