[发明专利]碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法

摘要

本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

主权项

1.一种碳化硅单晶衬底，其包括第一主面和与第一主面相反的第二主面，所述第一主面具有150mm以上的最大直径，所述第一主面包括第一中心区域，所述第一中心区域不包括距所述第一主面的外周3mm以内的区域，当将所述第一中心区域划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个所述第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)，且各个所述第一正方形区域中的氧浓度为5原子％以上且小于20原子％，其中所述第二主面为将要在其上形成碳化硅外延层的表面。