[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

公开了三维半导体存储器件，其包括：电极结构，包括在第一方向上堆叠的多个栅电极；下图案组，包括在电极结构的下部中且连接到衬底的多个下垂直图案；以及上图案组，包括在电极结构的上部中的多个上垂直图案。所述多个上垂直图案可以分别连接到所述多个下垂直图案。该三维半导体存储器件还可以包括在第二方向上彼此间隔开的两个公共源极插塞。电极结构可以在这两个公共源极插塞之间。下图案组的上部在第二方向上具有第一宽度，上图案组的上部在第二方向上具有第二宽度，并且第一宽度可以大于第二宽度。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，包括在垂直于衬底的顶表面的第一方向上堆叠的多个栅电极；下图案组，包括在所述电极结构的下部中并且连接到所述衬底的多个下垂直图案；上图案组，包括在所述电极结构的上部中的多个上垂直图案，其中所述多个上垂直图案分别连接到所述多个下垂直图案；以及两个公共源极插塞，在平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上彼此间隔开，其中所述电极结构在所述两个公共源极插塞之间，其中所述下图案组的上部在所述第二方向上具有第一宽度，所述上图案组的上部在所述第二方向上具有第二宽度，并且所述第一宽度大于所述第二宽度。