[发明专利]基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法有效
| 申请号： | 201910219155.7 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109888025B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘超铭;李何依;王天琦;张延清;齐春华;马国亮;霍明学 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 宋诗非 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 深层 离子 注入 方式 pin 二极管 位移 辐照 加固 方法 | ||
【主权项】：
1.基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф，所述离子注入量Ф满足如下条件：根据所述离子注入量Ф向PIN二极管注入离子后，使得PIN二极管的正、反向特性变化量分别小于未注入离子时正、反向特性的15％～25％；PIN二极管的开关时间变化量小于未注入离子时开关时间的15％～25％；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I：其中，所述离子注入时间t满足，5min＜t＜180min；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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