[发明专利]圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910219690.2 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109962010B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 潘东;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法。该制备方法通过调节合金催化剂的组分、利用合金催化剂的偏析来实现半导体材料从一维纳米线到二维纳米片的转变，整个过程无需借助光刻及电子束曝光等微纳加工设备，工艺简单，易于实现二维半导体纳米片材料的大规模生产。此外，本公开制备的二维半导体纳米片密度可控，在衬底上可以得到超高密度的二维高质量纳米片，可以大大节约片状半导体纳米材料的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 圆晶级 大面积 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种圆晶级大面积半导体纳米片的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上采用合金催化剂生长一维半导体纳米线；通过调节一维半导体纳米线顶端的合金催化剂组分实现合金催化剂的偏析，该偏析改变一维半导体纳米线晶面的生长速率，基于该偏析实现一维半导体纳米线向二维半导体纳米片的转变；从合金催化剂偏析出来的金属颗粒迁移至衬底，在衬底上持续催化形成新的一维半导体纳米线；以及位于一维半导体纳米线和二维半导体纳米片顶端的所有合金催化剂持续发生偏析，所有偏析出来的金属颗粒在衬底上持续催化产生新的一维半导体纳米线，循环往复，最终形成超高密度的半导体纳米片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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