[发明专利]一种功率器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910220307.5 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN110120348A 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 福州麦辽自动化设备有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78
代理公司: 深圳迈辽知识产权代理有限公司 44525 代理人: 赖耀华
地址: 350000 福建省福州市马尾*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种功率器件及其制作方法,包括:提供第一导电类型的衬底;在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层;形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽;在所述第一沟槽底面中部形成第二导电类型的第二外延层,在所述第二外延层上表面形成外延本征层;在所述第一沟槽内形成第一介质层;在所述第一沟槽底部和所述外延本征层顶部分别形成第二介质层;在所述第一沟槽内填充多晶硅层;在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构;在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极,从而提高了器件性能和可靠性。
搜索关键词: 外延层 上表面 衬底 第一导电类型 多晶硅层 功率器件 本征层 介质层 衬底上表面 导电类型 沟槽底面 器件性能 源极结构 下表面 漏极 填充 制作 生长 延伸
【主权项】:
1.一种功率器件的制作方法,其包括:提供第一导电类型的衬底;在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层;形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽;在所述第一沟槽底面中部形成第二导电类型的第二外延层,在所述第二外延层上表面形成外延本征层;在所述第一沟槽内形成第一介质层;在所述第一沟槽底部和所述外延本征层顶部分别形成第二介质层;在所述第一沟槽内填充多晶硅层;在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构;在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极。
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