[发明专利]一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统在审
| 申请号： | 201910220838.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109855752A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;张一鸣;傅实;任斌;赵志斌;黄永章 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;G01K11/32 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本发明钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。 | ||
| 搜索关键词： | 接触式测温 半导体器件 下钼片 压接 温度分布 子模组 芯片 输出端连接 从上到下 从上至下 芯片接触 依次连接 发射极 集电极 上钼片 垫片 结温 钼片 应用 | ||
【主权项】：
1.一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，其特征在于，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片(3)接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910220838.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高温熔渣温度光学标定装置及方法
- 下一篇：一种汽轮机调节级蒸汽测温装置
