[发明专利]一种硼烷阴离子超分子有机框架材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910221016.8 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN109851810B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 邢华斌;张袁斌;崔希利;赵宁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C08G83/00 | 分类号: | C08G83/00;C07C7/12;C01B32/50;B01J20/22;B01D53/02;B01J20/30;C07C9/04;C07C9/06;C07C9/08;C07C11/04;C07C11/24 |
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地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种硼烷阴离子超分子有机框架材料,该材料首先是由金属离子M与有机含氮配体L配位形成二维平面结构,再通过笼状硼烷阴离子[B |
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搜索关键词: | 一种 阴离子 分子 有机 框架 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种硼烷阴离子超分子有机框架材料,其特征在于,由金属离子M与有机含氮配体L配位形成二维平面结构,再与笼状硼烷阴离子[B12H12]2‑或[B10H10]2‑联接形成三维框架结构得到;所述笼状硼烷阴离子[B12H12]2‑的结构式如式(I)所示:所述笼状硼烷阴离子[B10H10]2‑的结构式如式(II)所示:
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