[发明专利]一种半导体表面去除氟杂质的方法在审
| 申请号： | 201910221453.X | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111725066A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 邓三军 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/30 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体表面去除氟杂质的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在真空条件下对表面附着有氟杂质的半导体于150℃‑300℃下加热处理，同时将活性炭置于半导体所在的空间中；(2)在pH不小于9的碱液中浸泡步骤(1)处理后的半导体；(3)用乙醇清洗步骤(2)处理后的半导体。本发明提供了一种半导体表面去除氟杂质的方法，本发明方法通过在真空条件下加热，使得半导体表面的氟离子能挥发，并利用活性炭吸附氟离子，防止直接排放到空气中；加热处理能够有效的去除半导体表面的氟杂质，并且进一步通过碱液浸泡，使其半导体表面的氟形成盐的沉淀，并进一步通过乙醇清洗，进一步增强了半导体表面氟杂质的去除效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 去除 杂质 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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