[发明专利]检测器再调制器有效
| 申请号： | 201910221877.6 | 申请日： | 2015-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN110058352B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | H.琼斯;A.里克曼;A.齐尔基 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王星;陈岚 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括绝缘体上硅(SOI)波导平台的检测器再调制器，所述SOI波导平台包括：耦合到第一输入波导的检测器；耦合到第二输入波导和输出波导的调制器；以及将所述检测器连接到所述调制器的电路；其中所述检测器、调制器、第二输入波导和输出波导被布置在彼此相同的水平面内；以及其中所述调制器包括调制波导区域，在所述调制波导区域处，半导体结被设置成水平跨过所述波导。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种检测器再调制器，包括：绝缘体上硅芯片；耦合到第一输入波导的检测器；硅锗或同质硅调制器，位于所述绝缘体上硅芯片上，耦合到第二输入波导和输出波导；以及将所述检测器连接到所述调制器的电路；其中所述调制器包括波导，所述波导包括调制区域，在所述调制区域半导体结跨过所述调制器的所述波导来设置，所述结包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；其中，所述电路连接到所述调制区域的第一侧上的第一电衬垫，所述第一电衬垫形成直接到所述第一掺杂区域的接触，并且所述电路连接到所述调制区域的第二侧上的第二电衬垫，所述第二电衬垫形成直接到所述第二掺杂区域的接触，并且所述电路包括从所述检测器到所述调制器的信号通路，所述信号通路具有在集成电路中的一部分。
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