[发明专利]半导体器件和制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910221890.1 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110098147B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | P.C.马里穆图;沈一权;林耀剑;崔源璟 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H10B80/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;申屠伟进 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制作半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体管芯；设置与所述第一半导体管芯邻近的模块化互连结构；将密封剂沉积在所述第一半导体管芯和模块化互连结构上；在所述第一半导体管芯、模块化互连结构和密封剂上形成堆积互连结构；在所述第一半导体管芯上的堆积互连结构中形成腔；以及在所述腔中设置第二半导体管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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