[发明专利]一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构

摘要

本发明公开了一种基于Mg₂Si半导体材料的存储器结构，它包括：Mg₂Si衬底，Mg₂Si衬底上设置有设置有第一存储单元，所述第一存储单元包括分区沟槽，分区沟槽边缘处设置有Mg₂Si固定薄片，Mg₂Si固定薄片顶端设置有绝缘晶片；分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，分区沟槽内设置有通电二极管，栅极区上设置Mg₂Si隔离层（8），Mg₂Si隔离层上设置有第二绝缘镀膜；第二绝缘镀膜上设置有第二存储单元；解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题。

主权项

1.一种基于Mg₂Si半导体材料的存储器结构，它包括：Mg₂Si衬底（1），其特征在于：Mg₂Si衬底（1）上设置有设置有第一存储单元（2），所述第一存储单元（2）包括分区沟槽（3），分区沟槽（3）边缘处设置有Mg₂Si固定薄片（4），Mg₂Si固定薄片（4）顶端设置有绝缘晶片（5）；分区沟槽（3）两侧分别设置有源区（21）和漏区（22），分区沟槽（3）上设置有第一绝缘镀膜（6），第一绝缘镀膜（6）上设置有栅极区（23），分区沟槽（3）内设置有通电二极管（7），栅极区（23）上设置Mg₂Si隔离层（8），Mg₂Si隔离层（8）上设置有第二绝缘镀膜（9）；第二绝缘镀膜（9）上设置有第二存储单元（10）。