[发明专利]具有三明治结构的GaN-HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910223719.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110010682A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有三明治结构的GaN‑HEMT器件及其制备方法。所述GaN‑HEMT器件包括外延层和电极，所述外延层包括GaN沟道层和AlyGa1‑yN势垒层，并自上而下排布；所述电极包括栅电极、源电极、漏电极和场板电极，场板电极和栅电极分别制作于外延层的上表面和下表面，场板电极延伸超过外延层的区域与栅电极相连接形成三明治结构，源电极和漏电极分别位于所述外延层的两端。在保证导电沟道完整性的同时，使器件的导电沟道受到下栅极和上场板的场效应控制。具有三明治结构的GaN‑HEMT器件提高了器件的击穿电压和栅压摆幅，提高了器件的线性度和耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 三明治结构 场板电极 栅电极 导电沟道 电极 漏电极 源电极 制备 击穿电压 耐压性能 场效应 上表面 势垒层 下表面 线性度 摆幅 排布 栅压 延伸 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.具有三明治结构的GaN‑HEMT器件，其特征在于，所述GaN‑HEMT器件包括外延层和电极，所述外延层包括GaN沟道层和AlyGa1‑yN势垒层， y为0.2~0.3；所述GaN沟道层和AlyGa1‑yN势垒层自上而下排布；所述电极包括栅电极、源电极、漏电极和场板电极，场板电极和栅电极分别制作于外延层的上表面和下表面，场板电极延伸至超过外延层的区域与栅电极相连接形成三明治结构，源电极和漏电极分别位于所述外延层的两端。
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