[发明专利]无需助粘剂的瞬态胶带转印方法

摘要

本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。

主权项

1.一种无需助粘剂的瞬态胶带转印法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用光刻与反应离子刻蚀工艺，在SOI基片上形成100‑200nm厚的单晶硅薄膜孤岛；2)采用湿法刻蚀工艺，将含有单晶硅薄膜孤岛的基片放入BOE(6:1)溶液中浸泡5‑10min，刻蚀掉基片上单晶硅薄膜孤岛以外的部分所暴露的埋氧化层；3)采用光刻工艺，在单晶硅薄膜孤岛边缘制作锚点，以防止后续完全刻蚀埋氧化层后单晶硅薄膜的位移和脱落；4)采用湿法刻蚀工艺，将制有锚点的基片放入49％HF溶液中1‑2h，完全刻蚀掉埋氧化层，使单晶硅薄膜掉落在衬底上,并被锚点钳位；5)取出瞬态胶带，将该瞬态胶带与4)所得基片耦合，再将瞬态胶带与基片剥离，以使瞬态胶带获取100‑200nm厚的单晶硅薄膜；6)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与任意接收基片耦合，并将该耦合体系放入丙酮中浸泡3min，以使瞬态胶带溶解；7)将浸泡后的基片用去离子水冲洗，并用氮气吹干，再采用等离子去胶工艺，去除该基片上的胶带残留物，得到洁净的基片，完成转印。