[发明专利]基于陈绝缘体-手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法有效
| 申请号： | 201910226828.1 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109948266B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曾然;张明月;陈芳芳;王驰;胡淼;李浩珍;欧军;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法，按如下步骤进行：S1：建立陈绝缘体‑手征介质界面的模型；S2：确定电磁波在陈绝缘体‑手征介质界面的电磁特性；S3：确定边界和初始条件；S4：利用边界和初始条件求得传输矩阵；S5：利用传输矩阵法求得电磁波从普通介质入射到陈绝缘体‑手征介质界面的反射系数；S6：求此模型下的Kerr角、极化偏转率和反射光相位差。本发明所述方法，能准确地分析陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转特性，能够准确地反映出入射角、手征特性和CI拓扑特性对陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转的影响，从而控制电磁波的极化偏转。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 介质 界面 kerr 极化 偏转 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.基于陈绝缘体‑手征介质界面的Kerr极化偏转分析方法,其特征在于：按如下步骤进行：S1：建立陈绝缘体‑手征介质界面的模型；S2：确定电磁波在陈绝缘体‑手征介质界面的电磁特性；S3：确定边界和初始条件；S4：利用边界和初始条件求得传输矩阵；S5：利用传输矩阵法求得电磁波从普通介质入射到陈绝缘体‑手征介质界面的反射系数；S6：求解陈绝缘体‑手征介质界面模型下的Kerr角、极化偏转率和反射光相位差。
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