[发明专利]一种Si2

摘要

本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结及其制备方法。本发明给出的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结中，位于顶端Si2Te3纳米圆锥长度为10um；主干Si2Te3/Si纳米线直径为300nm；长度为50um，制备方法为：将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放入石英管炉中，再将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方，将石英管炉抽真空至0.1mTorr，并用氮气冲洗,直至将空气排除干净，再调节石英管炉中的真空度和载气流量，并将炉在20℃min‑1下加热至850℃，并保持3‑5分钟，最后将衬底迅速冷却至室温，即可制备出Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结。本发明制备所得的Si2Te3/Si2Te3@Si纳米线异质结兼具了Si2Te3纳米线特性和Si纳米线特性，且制备工艺简单可控，重复性好。

主权项

1.一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结，其特征在于，Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结由两部分组成：顶端是Si₂Te₃纳米线，呈圆锥状，长度为10um；主干是Si₂Te₃/Si复合纳米线结构，直径为300nm，长度为50um。