[发明专利]一种长余辉型LED植物灯发光芯片的制备方法

摘要

本发明涉及一种长余辉型LED植物灯，属于LED植物发光技术领域。本发明将荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、CaAl2O4:Eu2+,Dy3+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体A；将荧光粉Sr3SiO5:Eu2+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+、Sr2SiO4:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体B；采用环氧树脂将混合粉体A封装在紫外LED芯片上或将混合粉体B封装在蓝光LED芯片上，凝固即得长余辉型LED植物灯发光芯片。本发明利用长余辉体系和LED荧光粉体系相结合调配成更接近阳光的连续光谱，作为植物照明体系的植物灯照明发光体，更有利与植物的生长发育，使植物生长的更快更好，同时无毒安全，具备优异的LED寿命，和良好的节能性。

主权项

1.一种长余辉型LED植物灯，其特征在于，长余辉型LED植物灯发光芯片的制备方法，具体步骤如下：（1）将荧光粉BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、Sr₂SiO₄:Eu²⁺、CaAlSiN:Eu²⁺、SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺、CaAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺、ZnGa₂O₄:Cr³⁺,Bi³⁺进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体A；（2）将荧光粉Sr₃SiO₅:Eu²⁺、CaAlSiN:Eu²⁺、ZnGa₂O₄:Cr³⁺,Bi³⁺、Sr₂SiO₄:Eu²⁺、SrAl₂O₄:Eu²⁺,Dy³⁺进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体B；（3）采用环氧树脂将步骤（1）的混合粉体A封装在紫外LED芯片上或将步骤（2）的混合粉体B封装在蓝光LED芯片上，凝固即得长余辉型LED植物灯发光芯片。