[发明专利]双向瞬态电压抑制器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910228199.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110164954A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤;马永健;伍旻;陆浩 | 申请（专利权）人： | 无锡力芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 朱建民 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双向瞬态电压抑制器及其制造方法，双向瞬态电压抑制器包括：衬底；外延层，其位于衬底的上表面，外延层与衬底的杂质类型相同；多个沟槽，沟槽自外延层的上表面贯穿外延层并延伸至衬底内，多个沟槽沿外延层的上表面依次间隔排布；第一杂质层，其位于相邻的两个所述沟槽之间，且自外延层的上表面延伸至外延层内，第一杂质层与衬底的杂质类型相同；第二杂质层，其位于相邻的两个所述沟槽之间，且自第一杂质层的上表面延伸至第一杂质层内，第二杂质层与第一杂质层的杂质类型相反；绝缘介质，其填充于多个沟槽内。与现有技术相比，本发明中的双向瞬态电压抑制器基于VDMOS工艺制成，其不仅可以提供双向保护，而且具有超低的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 杂质层 上表面 双向瞬态电压抑制器 衬底 杂质类型 延伸 寄生电容 间隔排布 绝缘介质 双向保护 超低的 填充 制造 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种双向瞬态电压抑制器，其特征在于，其包括：衬底；外延层，其位于所述衬底的上表面，所述外延层的杂质类型与衬底的杂质类型相同；多个沟槽，所述沟槽自所述外延层的上表面贯穿所述外延层并延伸至所述衬底内，所述多个沟槽沿所述外延层的上表面依次间隔排布；第一杂质层，其位于相邻的两个所述沟槽之间，且自所述外延层的上表面延伸至所述外延层内，所述第一杂质层的杂质类型与衬底的杂质类型相同；第二杂质层，其位于相邻的两个所述沟槽之间，且自所述第一杂质层的上表面延伸至所述第一杂质层内，所述第二杂质层的杂质类型与第一杂质层的杂质类型相反；绝缘介质，其填充于所述多个沟槽内。
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