[发明专利]一种冷备份电路的ESD保护结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。

主权项

1.一种冷备份电路的新型ESD保护结构，其特征在于包括：P型衬底(200)、P型衬底接触(202)、叉指栅(204)、MOS管源区(205)、MOS管漏区(206)、ESD注入层(207)、第一连接接触孔(208)、第二连接接触孔(209)、第三连接接触孔(210)、第四连接接触孔(212)和硅化金属阻挡层(211)；其中，P型衬底(200)上形成P型衬底接触(202)，在P型衬底(200)形成叉指栅(204)，叉指栅(204)位于P型衬底接触(202)的内部；叉指栅(204)包括若干条栅，在叉指栅(204)的每条栅的两侧分别形成MOS管源区(205)和MOS管漏区(206)；ESD注入层(207)覆盖于叉指栅(204)、MOS管源区(205)和MOS管漏区(206)；硅化金属阻挡层(211)覆盖MOS管漏区(206)但不包括设置第三连接接触孔(210A)的区域；叉指栅(204)开设有第一连接接触孔(208)，MOS管源区(205)开设有第二连接接触孔(209)，MOS管漏区(206)开设有第三连接接触孔(210)，P型衬底接触(202)开设有第四连接接触孔(212)；P型衬底接触(202)通过第四连接接触孔(212)与其它导电层连接，最终连接至电源VDD；MOS管源区(205)通过第二连接接触孔(209)连接至其它导电层，最终连接至电源VDD；MOS管漏区(206)通过第三连接接触孔(210)连接至其它导电层，最终连接至PAD端；叉指栅(204)通过第一连接接触孔(208)与其它导电层连接，最终连接至地。