[发明专利]同时具备存储与运算功能的高分子忆阻器及其制法和应用在审
| 申请号： | 201910229224.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110034231A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 张斌;樊菲;侯杰;陈彧 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C08G61/10 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 任艳霞 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种同时具备信息存储和数据处理能力的高分子忆阻器及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为Pt，活性层为侧链含三苯胺和二茂铁两个氧化还原基团的聚芴材料PFTPA‑Fc薄膜，顶电极为ITO。通过对该器件施加不同的电压，其电流电压曲线表现出不同的特性：在低导态可以实现多态存储、在高导态能实现算术运算和逻辑运算功能。此外，器件可以实现高导态和低导态间的自由切换。通过高分子的分子设计和电学性能调控将多态存储和运算功能集成到单个忆阻器中，得到高性能的电子器件，是一种满足当今日益增长的数据存储和处理需求的有效手段。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 多态存储 高导 制备方法和应用 电流电压曲线 逻辑运算功能 数据处理能力 信息存储器件 三明治结构 处理需求 电学性能 电子器件 分子设计 功能集成 聚芴材料 器件结构 数据存储 算术运算 信息存储 氧化还原 有效手段 自由切换 二茂铁 和运算 活性层 三苯胺 与运算 侧链 制法 薄膜 存储 施加 调控 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种同时具备存储和运算功能的高分子忆阻器，其特征在于：所述高分子忆阻器的结构组成自下到上为：(1)硅衬底；(2)铂电极；(3)高分子PFTPA‑Fc薄膜活性层；(4)氧化铟锡电极(ITO)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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