[发明专利]电子设备及其使用方法在审
| 申请号： | 201910229350.8 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110323276A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;B·帕德马纳班 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子设备以及使用电子设备的方法。电子设备可包括增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述增强型高电子迁移率晶体管包括源极电极；漏极电极；和栅极。在一个实施方案中，所述栅极可对应于间隔开的栅极电极以及设置在所述间隔开的栅极电极之间的空间，其中空间的宽度被配置为使得连续耗尽区形成在所述空间的所有所述宽度上。在另一个实施方案中，所述栅极可以是栅极电极，所述栅极电极沿着栅极宽度方向上的线具有不均匀厚度。在另一方面，使用所述电子设备的方法可包括在瞬变周期期间，当所述HEMT处于断开状态时，当Vds>‑Vth+Vgs时使电流从所述漏极电极流动到所述源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 栅极电极 增强型高电子迁移率晶体管 漏极电极 源极电极 栅极宽度方向 断开状态 所述空间 周期期间 不均匀 耗尽区 瞬变 配置 流动 | ||
【主权项】：
1.一种包括增强型高电子迁移率晶体管的电子设备，所述增强型高电子迁移率晶体管包括：源极电极；漏极电极；和栅极，所述栅极对应于第一组间隔开的栅极电极以及设置在所述间隔开的栅极电极之间的第一空间，其中所述第一空间的宽度被配置为使得连续耗尽区形成在所述第一空间的所有所述宽度上。
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