[发明专利]电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法在审
| 申请号： | 201910229435.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111739572A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 林信章;钟承谕;黄文谦 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/14;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电子写入可擦除可重写只读存储器的低压快速擦除方法，此电子写入可擦除可重写只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电栅极，同时，于第一导电栅极与源极和漏极交界处之半导体基板内或源极和漏极之离子掺杂区内更植入有同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低擦除之电压差，同时，藉由本发明对应元件提出之擦除方法，包括将漏极或源极设定为浮接之条件，进而可达到大量存储单元之快速擦除。本发明除了可以应用于单栅极晶体管结构之外，更适用于具有浮接栅极结构之电子写入可擦除可重写只读存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 写入 擦除 重写 只读存储器 低压 快速 方法 | ||
【主权项】：
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