[发明专利]一种使用伪随机序列信号作为电压应力的NBTI效应的测试方法在审
| 申请号： | 201910230179.2 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110045258A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李超;李平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用伪随机序列信号作为电压应力的NBTI效应的测试方法，包括使用FPGA产生伪随机序列信号，在经过电压调整后施加到PMOS器件的栅极，器件的源极、漏极及衬底均接地，将器件置于60℃～200℃的高温环境下，最后使用半导体参数测试仪适时介入测试器件相关参数的动态加速试验测试方法。本发明能够更加准确的测试PMOS器件的NBTI效应。 | ||
| 搜索关键词： | 伪随机序列 测试 电压应力 半导体参数测试仪 测试器件 电压调整 高温环境 加速试验 相关参数 接地 衬底 漏极 源极 施加 | ||
【主权项】：
1.一种使用伪随机序列信号作为电压应力的NBTI效应的测试方法，其特征在于：包含使用一个PMOS器件作为负偏置温度不稳定性测试器件，在60℃～200℃的高温环境下施加应力，在器件的栅极施加伪随机序列信号作为栅极应力，器件的源极、漏极及衬底均接地，使用半导体参数测试仪适时介入测试器件相关参数。
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