[发明专利]一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法有效
申请号: | 201910231149.3 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN109931894B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 孙科;钟秋雨;邬传健;余忠;蒋晓娜;兰中文;郭荣迪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01B15/02 | 分类号: | G01B15/02 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法,属于薄膜厚度分析检测技术领域。首先,对待测薄膜进行ARXPS测试;然后,采用单值分解法和调整法相结合,对Ni、Fe、Mn单质及其氧化物的参数进行拟合,如峰位、半峰宽等;根据角分辨XPS与表面层状结构分析的基本原理和测试方法,在一定误差范围内,得出约化厚度d/λ;最后,确定其非弹性散射平均自由程λ,进而得到氧化层厚度d。本发明方法简单,对设备要求不高,能非破坏性地测量极薄氧化层的厚度,并结合磁性能研究确定薄膜的钉扎临界厚度;同时,与现有方法相比,本发明方法的拟合标准偏差明显下降,标准偏差从现有技术10.25~22.76下降到1.05~4.59。 | ||
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【主权项】:
1.一种NiFe或FeMn薄膜表面氧化层厚度的分析方法,具体包括以下步骤:步骤1、分别对NiFe或FeMn薄膜进行ARXPS测试,其中,选取的掠射角为20°、35°、45°、60°、75°和90°,分别得到NiFe薄膜中Ni、Fe,以及FeMn薄膜中Fe、Mn在不同掠射角下的窄谱图;步骤2、定量分析:对于NiFe薄膜中的Ni元素,选取“Ni 2p3/2”、“NiO sate‑1”、“NiO 2p3/2”、“NiO sate‑2”和“Ni sate”五个化学状态,并根据谱图选取在不同掠射角下,Ni元素不同化学状态的电子结合能和半峰宽参数;其中,在“Ni 2p3/2”化学状态下的电子结合能为852.1eV、半峰宽为1.20~1.30,“NiO sate‑1”化学状态下的电子结合能为855.50±0.1eV、半峰宽为2.90~3.00,“NiO 2p3/2”化学状态下的电子结合能为853.30eV、半峰宽为2.74~2.84,“NiO sate‑2”化学状态下的电子结合能为860.86±0.1eV、半峰宽为3.03~30.23,“Ni sate”化学状态下的电子结合能为858.00eV、半峰宽为1.58~1.68;对于NiFe薄膜中的Fe元素,选取“Fe 2p3/2”、“Fe 2p1/2”、“Fe2O3 2p3/2”、“Fe2O3 2p1/2”和“Fe2O3 sate”五个化学状态,并根据谱图选取在不同掠射角下,Fe元素不同化学状态的电子结合能和半峰宽参数;其中,在“Fe 2p3/2”化学状态下的电子结合能为706.75eV、半峰宽为2.25~2.35,“Fe 2p1/2”化学状态下的电子结合能为719.95eV、半峰宽为3.00~3.10,“Fe2O3 2p3/2”化学状态下的电子结合能为710.70eV、半峰宽为4.40~4.50,“Fe2O3 2p1/2”化学状态下的电子结合能为724.30eV、半峰宽为5.90~6.00,“Fe2O3 sate”化学状态下的电子结合能为719.80eV、半峰宽为6.40~6.50;FeMn薄膜的定量分析:对于FeMn薄膜中的Fe元素,选取“Fe 2p3/2”、“Fe 2p1/2”、“Fe2O3 2p3/2”、“Fe2O3 2p1/2”和“Fe2O3 sate”五个化学状态,并根据谱图选取在不同掠射角下,Fe元素不同化学状态的电子结合能和半峰宽参数;其中,在“Fe 2p3/2”化学状态下的电子结合能为706.75eV、半峰宽为2.25,“Fe 2p1/2”化学状态下的电子结合能为719.95eV、半峰宽为3.10,“Fe2O3 2p3/2”化学状态下的电子结合能为710.70eV、半峰宽为4.40,“Fe2O3 2p1/2”化学状态下的电子结合能为724.30eV、半峰宽为5.90,“Fe2O3 sate”化学状态下的电子结合能为719.80eV、半峰宽为6.50;对于FeMn薄膜中的Mn元素,选取“Mn 2p3/2”、“Mn 2p1/2”、“MnO2 2p3/2”、“MnO2 2p1/2”和“MnO2 sate”五个化学状态,并根据谱图选取在不同掠射角下,Mn元素不同化学状态的电子结合能和半峰宽参数;其中,在“Mn 2p3/2”化学状态下的电子结合能为638.80eV、半峰宽为2.50,“Mn 2p1/2”化学状态下的电子结合能为650.05eV、半峰宽为4.10,“MnO2 2p3/2”化学状态下的电子结合能为641.80eV、半峰宽为3.20,“MnO2 2p1/2”化学状态下的电子结合能为653.50eV、半峰宽为3.70,“MnO2 sate”化学状态下的电子结合能为646.40eV、半峰宽为2.80;步骤3、针对NiFe薄膜中的Ni、Fe元素,FeMn薄膜中Fe、Mn元素,以
为x轴,
为y轴,得到拟合曲线,其中,
为掠射角,R=Io/Is,R∞=Io,∞/Is,∞,Io,Is分别为厚度为d的氧化层和待测样品的底材的光电子峰强度,Io,∞,Is,∞分别为无限厚的氧化层和底材的光电子峰强度;然后,采用最小二乘法拟合求出斜率,进而得到氧化层的厚度d。
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