[发明专利]用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法有效
| 申请号： | 201910231239.2 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994424B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李一斌;鲍宇;张书强 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法，包括：在接触孔开口处的衬底上进行氮化钛的第一次淀积并进行第一次处理，形成氮化钛初始层；在氮化钛初始层上进行氮化钛的第二次淀积并进行第二次处理，形成氮化钛主体层，氮化钛初始层的厚度比氮化钛主体层的厚度小，且氮化钛初始层和氮化钛主体层的厚度之和与接触孔结构中所需的氮化钛膜厚度相同。本发明改变了两次氮化钛淀积的厚度以及对淀积氮化钛进行处理的时间，使第一次形成的氮化钛膜比第二次形成的氮化钛膜薄，可以减轻第一次等离子体处理负荷，降低处理过程中的排气，从而获得膜质阻值符合要求、填充能力增强、成膜连续性良好的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 28 纳米 以下 技术 节点 接触 结构 氮化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于28纳米及以下技术节点的接触孔结构中氮化钛膜的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在接触孔开口处的衬底上进行氮化钛的第一次淀积并进行第一次处理，形成厚度为H1的氮化钛初始层；步骤2，在氮化钛初始层上进行氮化钛的第二次淀积并进行第二次处理，形成厚度为H2的氮化钛主体层，所述氮化钛初始层的厚度H1比氮化钛主体层的厚度H2小，且氮化钛初始层和氮化钛主体层的厚度之和与接触孔结构中所需的氮化钛膜厚度H相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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