[发明专利]一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法有效
| 申请号： | 201910231240.5 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994371B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李昱廷;却玉蓉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，包括：提供将第二氮掺杂碳化物层作为上表面层的半导体结构，所述第二氮掺杂碳化物的表面具有疏水性的硅‑碳‑氢‑氮化合物；接着利用改质液对所述第二氮掺杂碳化物的表面进行冲洗，使其变为亲水性表面；然后对所述亲水性表面进行水冲洗，去掉残留物。本发明由表面改质液内含的有机物将疏水表面转变为亲水性，即可在后续的喷水清洗步骤中，让清洁的水容易的流经表面而不留水痕，进而避免残留水痕以及残留物所导致后续覆盖薄膜所放大的隆起问题，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 掺杂 碳化物 堆叠 清洁 生水 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一、提供将第二氮掺杂碳化物层作为上表面层的半导体结构，所述第二氮掺杂碳化物的表面具有疏水性的硅‑碳‑氢‑氮化合物；步骤二、利用改质液对所述第二氮掺杂碳化物的表面进行冲洗，使其变为亲水性表面；步骤三、对所述亲水性表面进行水冲洗，去掉残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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