[发明专利]硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910231276.3 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110047734B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张建军;高飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅衬底上有序锗纳米线，包括表面具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗层以及位于所述硅锗层上的纯锗层。本发明还提供一种制备本发明的硅衬底上有序锗纳米线的方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底上获得有序的周期性凹槽结构和平台结构；(2)在具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底表面外延生长硅锗层；(3)在所述硅锗层表面外延生长纯锗层，然后对材料进行原位退火。本发明还提供本发明的硅衬底上有序锗纳米线在空穴自旋量子比特及其集成器件中的应用。本发明提供的硅衬底上有序锗纳米线，其空穴迁移率高，有助于重空穴和轻空穴的分离，从而有利于量子比特退相干时间的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 有序 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底上有序锗纳米线，包括表面具有周期性凹槽结构和平台结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗层以及位于所述硅锗层上的纯锗层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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