[发明专利]基于复合电子传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910231335.7 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109920918B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨根杰;王子君;高瞻;于军胜 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 汤春微 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于复合电子传输层的钙钛矿光电探测器，其结构从下到上依次为衬底、导电阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层，复合电子传输层、空穴阻挡层与金属阴极。其中，所述复合电子传输层由PCBM和明胶的混合物构成；且该复合电子传输层中，所述明胶的质量百分占比为0.1～6％，余量为PCBM。通过采用掺杂生物活性材料明胶的复合电子传输层，改善了原PCBM电子传输层的表面形貌，使得原本的介孔状界面变得均匀致密，从而使器件具有较好的阻隔水氧与抗紫外线能力，提升了钙钛矿光电探测器的稳定性与工作寿命；同时，使得电子传输层的载流子传输能力得以改善，减少了器件工作中的漏电流，从而大幅降低暗电流，最终提升了钙钛矿光电探测器的探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 复合 电子 传输 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于复合电子传输层的钙钛矿光电探测器，包括复合电子传输层；其特征在于：所述复合电子传输层由PCBM和明胶的混合物构成；所述复合电子传输层中，所述明胶的质量百分占比为0.1～6％，余量为PCBM。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910231335.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
