[发明专利]非易失性存储器装置在审
| 申请号： | 201910231443.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110610735A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林媛宣 | 申请（专利权）人： | 卡比科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市东区*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极元件、控制耦合元件、抹除耦合元件及选择栅极元件。浮接栅极元件包含浮接栅极层。控制耦合元件接收控制电位以耦合控制电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件接收抹除电位以耦合抹除电位至浮接栅极层，以根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，根据字元驱动电位及源极驱动电位产生字元选择电位。本发明的非易失性存储器装置可减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 浮接 抹除 栅极元件 栅极层 字元 非易失性存储器装置 控制电位 控制耦合 选择栅极 耦合元件 读取 栅极氧化层 驱动电位 提升元件 元件电性 元件接收 源极驱动 耦合控制 可靠度 耦合 位元 耦接 写入 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：/n一浮接栅极层元件，包含一浮接栅极层；/n一控制耦合元件，配置以接收一控制电位以耦合该控制电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该控制电位、一字元选择电位以及一位元选择电位进行读取或写入；/n一抹除耦合元件，配置以接收一抹除电位以耦合该抹除电位至该浮接栅极层，以使该浮接栅极元件根据该抹除电位进行抹除；以及/n一选择栅极元件，电性耦接于该浮接栅极元件，并配置以根据一字元驱动电位以及一源极驱动电位产生该字元选择电位。/n
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