[发明专利]微结构封装方法及封装器件有效

专利信息
申请号: 201910231599.2 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN109928359B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 杜晓辉;刘帅;刘丹;王麟琨 申请(专利权)人: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100055 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种微结构封装方法,包括:在单晶硅圆片上表面刻蚀出导电硅柱和硅凹槽,硅凹槽底部与单晶硅圆片背面之间剩余的单晶硅材料为微结构功能层;将玻璃粉末填充至硅凹槽内;以玻璃粉末软化点以上的温度,高温烧结玻璃粉末,形成玻璃体;在单晶硅圆片背面刻蚀出包含功能结构和电学连接结构的微结构和边框;盖帽与边框通过键合工艺粘接,将微结构密闭封装;以及在导电硅柱上沉积金属电极,实现与外部电路的欧姆接触。
搜索关键词: 微结构 封装 方法 器件
【主权项】:
1.一种微结构封装方法,其特征在于,包括:在单晶硅圆片(100)上表面刻蚀出导电硅柱(101)和硅凹槽(102),硅凹槽(102)底部与单晶硅圆片(100)背面之间剩余的单晶硅材料为微结构功能层(103);将玻璃粉末(201)填充至硅凹槽(102)内;以玻璃粉末(201)软化点以上的温度,高温烧结玻璃粉末,形成玻璃体(202);在单晶硅圆片(100)背面刻蚀出包含功能结构(301)和电学连接结构(302)的微结构(300)和边框(104);盖帽(400)与边框(104)通过键合工艺粘接,将微结构(300)密闭封装;在导电硅柱(101)上沉积金属电极(500),实现与外部电路的欧姆接触。
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